Полупроводниковый модуль CM300HA-24H, 1 IGBT 1200V 300A 3-gen (H-Series)

Полупроводниковый модуль CM300HA-24H, 1 IGBT 1200V 300A 3-gen (H-Series) 

Описание

Макс.напр.к-э,В   1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В   2.5
Номинальный ток одиночного тр-ра,А   300
Структура модуля   одиночный транзистор
Тип силового модуля   Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц   25
Входная емкость затвора,нФ   60
Драйвер управления   внешний
Защита по току   нет
Защита от короткого замыкания   нет
Защита от перегрева   нет
Защита от пониженного напряжения питания   нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт   2100
Максимальный ток эмиттера, А   600
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В   20
Напряжение эмиттер-коллектор,В   3.4
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс   500
Напряжение изоляции, В   2500
Температурный диапазон,С   -40…150
Производитель   Mitsubishi Electric Semiconductor

IGBT модули 71
Производители Наличие
IR1 Mitsubishi  No trademark Powerex Semikron Vishay/IR 

Наименование   Пр-во   Наличие   Цена  
CM200DY-12H, 2 IGBT 600V 200A 3-gen (H-Series Mitsubishi   Со склада   6 550 
IR51H420, 3ф driver with gen Vishay/IR   Со склада   83 
BSM400GA120DLCS No trademark   Со склада   3 500
CM100DU-24F, 2 IGBT RTC 1200V 100A 4-gen (F-Series) Mitsubishi   Со склада   3 910 
CM100DY-24A, 2 IGBT 1200V 100A 5-gen (A-Series
CM100E3U-24F, Brake IGBT RTC 1200V 100A 4-gen (F-Series)
CM100TF-24H, 6 IGBT 1200V 100A 3-gen (H-Series)
CM150DU-24F, 2 IGBTмощн. кл, 1200В, 150A
CM150DY-24A, 2 IGBT 1200V 150A 5-gen (A-Series) Mitsubishi   3 дня   11 700 
CM150E3U-24H, Brake IGBT 1200V 150A 3-gen (H-Series)
CM200DU-24F, 2 IGBT RTC 1200V 200A 4-gen (F-Series)
CM200DY-24NF, 2 IGBT 1200V 200A 5-gen (NF-Series)
CM200DY-34A, 2 IGBT 1700V 200A
CM200HA-24H, 1 IGBT 1200V 200A 3-gen (H-Series)
CM200HG-130H, 1 IGBT 6500V 200A
CM20TF-24H, 6-IGBT 1200V 20A (H-Series)
CM300DU-24NFH, 2 IGBT 1200V 300A 50kHz (NFH-Series)
CM300DY-24A, 2 IGBT 1200V 300A 5-gen (A-Series)
CM300HA-12H, 1 IGBT 600V 300A 3-gen (H-Series)
CM300HA-24H, 1 IGBT 1200V 300A 3-gen (H-Series)

IGBT модули
Наименование   Пр-во   Наличие   Цена  
CM30TF-24H, 6 IGBT 1200V 30A 3-gen (H-Series)
CM50BU-24H, 4 IGBT 1200V 50A 3-gen (U-Series)
CM50DU-24H, 2IGBT 1200V 50A (U-Series)
CM50TU-24H, 6 IGBT 1200V 50A 3-gen (U-Series)
CM600DU-24NF, 2 IGBT 1200V 600A 5-gen (NF-Series)
CM600HU-12F, 1 IGBT 600V 600A RTC (F-Series)
CM600HU-24F, 1 IGBT RTC 1200V 600A 4-gen (F-Series)
CM75DU-12F, 2 IGBT RTC 600V 75A (F-Series), модуль
CM75E3U-24F, IGBT+diod 1200V 75A
CM75RL-24NF, 7 IGBT 1200V 75A 5-gen (NF-Series)
CM75TU-24F, 6 IGBT RTC 1200V 75A 4-gen (F-Series) Mitsubishi   3 дня   12 200 
CM800HB-50H, 1 HV-IGBT 2500V 800A
CM900HB-90H, 1 HV-IGBT 4500V 900A
CP25TD1-24A, 3-ф+тормозн+мост 25A 1200V
CPV362M4K, 3ф IGBT 600В 5.7А 25кГц Vishay/IR   3 дня   1 960 

CPV362MK, 3ф IGBT MOD 600В 5.7А
CPV364MU, 6 IGBT 600В 20А 20кГц
GA400TD25S, IGBT дв MOD 400А 250В b Vishay/IR   Со склада   52
IRAMS10UP60A, Модуль
 

IRAMS10UP60B, IGBT модуль, 600В, 10А IR   Со склада   1 550 
IRGDDN600K06, IGBT 600В 280А б/кр
IRGKI115U06, 1ф IGBT MOD 600В 130А Vishay/IR   Со склада   3 220
PM100CLA120, 6 IGBT 1200V 100A 5-gen Mitsubishi   По запросу   8 240 
PM100CLS120, 6 IGBT 1200V 100A intel 5-е поколение
PM100CSA120, 6 IGBT 1200V 100A 3-gen (S-Series)
PM100CVA120, 6 IGBT 1200V 100A 3-gen (V-Series)
PM10CZF120, 6 IGBT 1200V 10A 3-gen (S-Series)
PM150CVA120, 6 IGBT 1200V 150A 3-gen (V-Series)
PM15RSH120, 7 IGBT 1200V 15A 3-gen (S-Series)
PM30RSF060, 7 IGBT 600V 30A 3-gen (S-Series)
PM450CLA120, 6 IGBT 1200V 450A 5-gen
PM50RSA060, 7 IGBT 600V 50A 3-gen (S-Series)
PM600DSA060, 2 IGBT 600V 600A 3-gen (S-Series)
PM75CVA120, (некондиция)
PM75RLA060, 7 IGBT 600V 75A 5-gen (L-Series)
PM75RSA060, 7 IGBT 600V 75A 3-gen (S-Series)
PS11012, IPS mod 0.2кВт/600В 1/3фаз
PS11032, IPS mod 0.2кВт/220В 1/3фаз
PS11037 (3.7KW,600B ASIPM)
 

Наименование   Пр-во   Наличие   Цена  
PS12012-A, IPS mod 440В 0.3кВт Mitsubishi   3 дня   6 950 
PS12013-A, IPS mod 440В 0.4кВт
PS12014-A, IPS mod 440В 0.75кВт
PS12015-A, IPS mod 400В 1.5кВт
PS12018-A, IPS mod 440В 3.7кВт
PS12036, 6IGBT+3ф мост 1200В 15A
PS21342-G, IPS 600Вх1Ф 0.2кВт 5кГц
PS21352-G, IPS 600Вх1Ф 0.2кВт 15кГц
PS51277-AP, PFC mod 2IGBT 600В 15А
SKM100GB125DN, Модуль 2хIGBT 1200В 200А Semikron   По запросу   3 650 
SKM200GB125D, 2IGBT 1200В 200А, Модуль IGBT
Semikron   3 дня   9 020 

Полупроводниковые модули — это силовые полупроводниковые устройства (совокупность двух или более полупроводниковых структур соединенных между собой по определенной схеме в единую конструкцию). Применяются для построения элементов электрот ехнических систем различного назначения: выпрямители, инверторы, преобразователи напряжения или преобразователи частоты. Модули могут включать в себя следующие силовые элементы: диоды, тиристоры, МОП-транзисторы, IGBT -транзисторы. 

Цена силового полупроводникового модуля зависит от его функционала, коммутируемого тока и напряжения. Функционально модули делятся на: тиристорно-диодные, транзисторно-диодные, полумосты, трехфазные мосты, мощные сборки транзисторов. Купить полупроводниковые модули можно на коммутируемый ток от десятков до сотен ампер и напряжения от сотен до тысяч вольт. 

Наиболее известными брендами в области производства силовых полупроводниковых модулей являются следующие компании: Fuji Electric Semiconductors, Mitsubishi Electric, Semikron, IXYS, Crydom.
Товары из группы «Полупроводниковые модули» вы можете купить оптом и в розницу.